特許
J-GLOBAL ID：200903087847842362
ドライエッチングの終点検出方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-053100
公開番号（公開出願番号）：特開2009-212274
出願日： 2008年03月04日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：
【課題】極端紫外線露光用マスクの製造工程である、ドライエッチング工程でのエッチング停止判断を行う装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のドライエッチング終点判定装置は、該反射型マスクに波長200nm未満の領域を含む光を入射させ、エッチング対象材料とその下地層の特定波長における反射率の差を利用してエッチング終点を検出することを特徴とする。これにより、エッチング終点を精密に判定することができ、マスクの製造が可能となる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
真空容器内にガスを導入し高周波電力を与えて形成したプラズマを用いて真空容器内に設置した基板表面のエッチング対象材料をエッチングする処理において、
200nm未満の波長域の光を含む光を発生する光源と、
前記光源からの光を分光する分光器と、
前記分光された光のうち所定波長域の光を選択して照射光として通過させる照射光波長選択手段と、
前記照射光の一部を反射し、別の一部を透過させる第1のビームスプリッターと、
前記第1のビームスプリッターにより反射された前記照射光の一部を基板表面に集光照射する第1の集光光学系と、
前記第1の集光光学系からの照射光が前記基板表面により反射された反射光を検出して第1の検出信号を発生する第1の反射光検出手段と、
前記第1のビームスプリッターを透過した照射光の光路に配置されたライトチョッパーと、
前記ライトチョッパーを通過してきた照射光の一部を反射し、別の一部を透過させる第2のビームスプリッターと、
前記第2のビームスプリッターにより反射された前記照射光の一部を基板表面に集光照射する第2の集光光学系と、
前記第2の集光光学系からの照射光が前記基板表面により反射された反射光を検出して第2の検出信号を発生する第2の反射光検出手段と、
前記真空容器内に第1および第2の集光光学系からの照射光を導入する窓と、
前記第1および第2の検出信号を受信し記憶するメモリと、
前記メモリに記憶した前記基板のエッチング処理中の任意の時刻に得られた前記第1および第2の検出信号と、前記基板表面のエッチング対象材料の下の層の材料からの反射光の検出信号を比較して、その差分を演算する比較手段と、
前記比較手段の演算結果を用いてエッチング対象材料のエッチングが終了したことを判定する判定手段と、
その判定結果を表示する表示手段と、
を備えることを特徴とするドライエッチングの終点検出装置。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 1/08
, G03F 1/16
, H01L 21/306
H01L21/30 531M
, G03F1/08 L
, G03F1/16 A
, H01L21/302 103
2H095BA10
, 2H095BB14
, 2H095BB18
, 2H095BB35
, 5F004BB02
, 5F004CB09
, 5F004CB15
, 5F004EB07
, 5F046GD15
, 5F046GD17
