特許
J-GLOBAL ID：200903087860290280

半導体装置

発明者：
吉本 和也

吉本 和也 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-313541
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145141
出願日： 1997年11月14日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 Cuよりなる金属配線に、Cuの酸化と絶縁膜中への拡散とを防止し且つ比抵抗が小さいバリア層を設けることができるようにする。【解決手段】 Siよりなる半導体基板10の上にはSiO2 よりなる第1の絶縁膜12が形成され、該第1の絶縁膜12における各ソース・ドレイン領域10aの上側にはコンタクトホール12aが選択的に形成されている。コンタクトホール12aにおけるバリアメタル/コンタクトメタル層13の上にはプラグ14が充填されている。第1の絶縁膜12の上には第2の絶縁膜15が形成され、該第2の絶縁膜15には、プラグ14の上面と接する金属配線形成領域となる開口部15aが形成されており、該開口部15aには、Cuよりなる配線本体部16と、Crよりなり、配線本体部16の底面及び側面を密着状態で覆うバリア層17とから構成される金属配線18が形成されている。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された複数の半導体素子と、該複数の半導体素子同士を互いに絶縁する絶縁膜と、前記複数の半導体素子と電気的に接続される金属配線とを備えた半導体装置であって、前記金属配線は、Cuを含む金属よりなる配線本体部と、前記絶縁膜との界面に不動態皮膜が生成された金属よりなり前記配線本体部の底面及び側面を密着状態で覆うバリア層とから構成されており、前記バリア層は、前記配線本体部に含まれるCuの前記絶縁膜側への拡散を防止すると共に、前記不動態皮膜により前記配線本体部の酸化を防止することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 21/88 M ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 B
引用特許：
審査官引用 (2件)

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