特許
J-GLOBAL ID：200903032067969396

レーザ・アブレーション加工方法

発明者：
塚大 浩司

塚大 浩司 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-044082
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241894
出願日： 1995年03月03日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：
【要約】【目的】 半導体集積回路へのレーザアブレーションの適用に関し、ビア孔の形成とバリア膜の形成を実用化することを目的とする。【構成】 絶縁層上にこの絶縁層形成材料よりもアブレーション閾値の高い材料よりなるバリア膜を形成しておき、少なくともビア孔の半分が解像可能なレンズを用いてエキシマレーザを照射してアブレーション加工を行ってビア孔を作り、また、後者は、配線がパターン形成してある絶縁層上にバリア金属を膜形成した後、絶縁層にバリア膜がアブレーションするが配線がアブレーションしないフルエンスのエキシマレーザを照射し、配線の側面および表面を除いて絶縁層上のバリア膜を除去して形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁層上に該絶縁層形成材料よりもアブレーション閾値の高い材料よりなるバリア膜を形成して後、少なくともビア孔の半分が解像可能なレンズを用いてエキシマレーザを照射し、該バリア膜にビア孔と等しい径の孔開けを行った後、該バリア膜をマスクとして前記絶縁層をアブレーションしてビア孔を形成することを特徴とするレーザ・アブレーション加工方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3205 ,  H01S 3/00 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/46
FI (4件)：
H01L 21/88 B ,  H01S 3/00 B ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/46 X
引用特許：
審査官引用 (4件)
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