特許
J-GLOBAL ID：200903087871594914
窒化ガリウム系半導体ウエハ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-074171
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274559
出願日： 1998年03月23日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 ウエハの製造に要する時間を大幅に短縮することができる窒化ガリウム系半導体ウエハ、並びにその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 表面3が溝4によって複数の領域に分割されたサファイヤ基板2の表面3に窒化ガリウム系半導体6を積層していることを基本的な特徴とする。サファイヤ基板2の表面3が溝4によって複数の領域5に分割されているので、溝4が、サファイヤ基板2の表面3に積層した窒化ガリウム系半導体6の結晶成長の連続性を断ち切るように機能する。その結果、サファイヤ基板2と窒化ガリウム系半導体6の格子定数差や熱膨張率差に起因する応力発生範囲を、溝4によって区切られた狭い領域5に分割することができ、ウエハ1全体の反りを小さく抑制することが可能になる。
請求項（抜粋）：
表面が溝によって複数の領域に分割されたサファイヤ基板の前記表面に窒化ガリウム系半導体を積層していることを特徴とする窒化ガリウム系半導体ウエハ。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01L 21/301
, H01L 21/86
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
, H01L 21/78 L
, H01L 21/86
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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