特許
J-GLOBAL ID：200903087938129570
薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-128149
公開番号（公開出願番号）：特開2008-283126
出願日： 2007年05月14日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：
【課題】汚染物質の発生を抑制することができる薄膜形成装置、薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成方法を提供する。【解決手段】熱処理装置1の反応管2内に処理ガスを供給して半導体ウエハ上にシリコン窒化膜を成膜した後、反応管2内にクリーニングガスを供給して熱処理装置1の内部に付着した窒化珪素を除去する。そして、反応管2内を所定の温度に昇温し、昇温した反応管2内にパージアウトガスを供給する。これにより、反応管2を構成する石英中に含まれる汚染物質がパージアウトされる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記反応室内に活性化可能なパージアウトガスを供給して、当該反応室内をパージするパージ工程を備え、
前記パージ工程では、前記パージアウトガスを活性化させて、そのラジカルを生成し、生成したラジカルにより、前記反応室内の材料中に含まれる汚染物質を前記材料中から除去する、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/31 B
, C23C16/44 J
4K030AA03
, 4K030AA13
, 4K030BA40
, 4K030CA04
, 4K030DA06
, 4K030FA10
, 4K030JA05
, 4K030JA06
, 4K030JA10
, 4K030KA04
, 4K030LA15
, 5F045AA03
, 5F045AB33
, 5F045AC05
, 5F045AC12
, 5F045AF01
, 5F045BB15
, 5F045DP19
, 5F045DP28
, 5F045DQ05
, 5F045EB06
