薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-371322
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311929
出願日： 2003年10月30日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】薄膜への不純物の混入を抑制することができる薄膜形成装置及び薄膜形成方法等を提供する。【解決手段】熱処理装置1の反応管2内に処理ガスを供給して半導体ウエハ10上にシリコン窒化膜を成膜した後、反応管2内にフッ素ガスを含むクリーニングガスを供給して熱処理装置1の内部に付着した窒化珪素を除去する。次に、反応管2内を所定の温度に昇温し、昇温した反応管2内にアンモニアガスを供給する。これにより、供給されたアンモニアガスが活性化して、反応管2を構成する石英中に拡散したフッ素等と反応し、石英中からフッ素等が除去される。また、石英の表面が窒化される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置の洗浄方法であって、前記反応室内に、窒素を含む活性化可能な窒素系ガスを供給して、前記反応室内をパージするパージ工程を備え、前記パージ工程では、前記窒素系ガスを活性化させて、前記反応室内の材料の表面を窒化させる、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L21/31 , C23C16/44

FI (2件)：

H01L21/31 B , C23C16/44 J

Fターム (34件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030DA06 , 4K030FA01 , 4K030FA06 , 4K030FA10 , 4K030FA17 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030KA46 , 4K030LA15 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AA11 , 5F045AB33 , 5F045AB40 , 5F045AC00 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF03 , 5F045BB14 , 5F045DP19 , 5F045DQ10 , 5F045EB06

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平3-293726号公報

審査官引用 (14件)

窒化ケイ素薄膜の蒸着
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-238425 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-338044 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
特開昭62-214175

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