特許

J-GLOBAL ID：200903087963537216

半導体装置およびその製造方法

発明者： 一ノ瀬 昇 ,  島村 清史 ,  青木 和夫 ,  ガルシア ビジョラ エンカルナシオン アントニア
出願人/特許権者： 株式会社光波
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-325757
公開番号（公開出願番号）：特開2006-135268
出願日： 2004年11月09日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：

【課題】 結晶品質の高いGaN系化合物からなる単結晶薄膜を形成することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 この発光素子10は、(100)面または(801)面を主面とするβ-Ga2O3単結晶からなるGa2O3基板11と、Ga2O3基板11上にバッファ層12を介してn-GaNクラッド層13、InGaN発光層14、p-AlGaNクラッド層15、p-GaNコンタクト層16を積層してなるものである。Ga2O3基板11のβ-Ga2O3単結晶の結晶方位〈010〉であるとき、バッファ層12、n-GaNクラッド層13、InGaN発光層14、p-AlGaNクラッド層15のGaN系化合物薄膜の結晶方位〈11-20〉であり、ほぼ平行している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

主面を有するβ-Ga2O3系単結晶からなる基板と、 前記基板の主面上に形成され、c軸が前記主面に対しほぼ垂直であるウルツ鉱型構造GaN系化合物からなるバッファ層とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/20 ,  H01S 5/323

FI (4件)：

H01L33/00 C ,  C23C16/34 ,  H01L21/20 ,  H01S5/323 610

Fターム (32件)：

4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LN02 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152NN06 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09 ,  5F173AG11 ,  5F173AG21 ,  5F173AH22 ,  5F173AH41 ,  5F173AP06 ,  5F173AP24 ,  5F173AR82

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特公昭52-36117号公報
  

審査官引用 (2件)

• 発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-137912   出願人：株式会社光波
• 窒化物半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-330238   出願人：パイオニア株式会社