発光素子およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平田忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-137912
公開番号（公開出願番号）：特開2004-056098
出願日： 2003年05月15日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】可視領域から紫外領域の光を透過する無色透明の導電体を得ることができ、その導電体を基板に用いて垂直構造とすることが可能であり、基板側をも光の取り出し面とすることができる発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】制御された雰囲気の高温炉の中に、原料融液9が毛細管現象で継続的に上面にまで上昇可能なスリット8aを有するスリットダイ8と、該スリットダイ8および原料融液9を収納するルツボ6とにより、スリットダイ8の上面と同一断面形状を有する単結晶を育成するEFG法により、基板を製造する。この基板上にMOCVD法によりIII-V族系、II-VI族系、あるいはその両者の薄膜を成長させる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ガリウム酸化物の基板と、前記基板上に形成されたpn接合部とを含むことを特徴とする発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (2件)：

H01L33/00 C , H01L33/00 D

Fターム (12件)：

5F041AA14 , 5F041AA42 , 5F041CA02 , 5F041CA04 , 5F041CA12 , 5F041CA13 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA84 , 5F041CA92

引用特許：

審査官引用 (14件)

窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-238146 出願人：日亜化学工業株式会社
ZnO系半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-260742 出願人：信越半導体株式会社
単結晶の育成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-253626 出願人：株式会社信光社

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