特許

J-GLOBAL ID：200903004194730935

窒化物半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 太田 啓之 ,  渡辺 温 ,  田中 利之 ,  木村 義則 ,  宮地 譲
出願人/特許権者： パイオニア株式会社
代理人 (1件)： 藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-330238
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148532
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】 電極構造における低接触抵抗を再現性良く得られる3族窒化物半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板と、基板上に順に積層された3族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)からなる複数の結晶層と、結晶層のうちの最表面層に接触して設けられた金属電極と、を備えた窒化物半導体レーザであって、最表面層を金属電極とともに挟む結晶層は高不純物濃度結晶層であり、高不純物濃度結晶層は高不純物濃度結晶層の直下の結晶層及び最表面層の2族不純物の濃度より大なる濃度の2族不純物を含有する。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に順に積層された3族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)からなる複数の結晶層と、前記結晶層のうちの最表面層に接触して設けられた金属電極と、を備えた窒化物半導体レーザであって、前記最表面層を前記金属電極とともに挟む結晶層は高不純物濃度結晶層であり、前記高不純物濃度結晶層はその直下の結晶層及び前記最表面層の2族不純物の濃度より大なる濃度の2族不純物を含有することを特徴とする窒化物半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/042 610 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01S 5/042 610 ,  H01L 21/28 301 H

Fターム (19件)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104FF31 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-113051   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082778   出願人：シャープ株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-317844   出願人：日亜化学工業株式会社
• 3族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-252896   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 窒化ガリウム系半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-310333   出願人：松下電器産業株式会社