特許

J-GLOBAL ID：200903087968759934

無電解めっき液及びこれを用いた配線形成方法

発明者： 井上 裕章 ,  三島 浩二 ,  中村 憲二 ,  奥山 修一 ,  松田 哲朗 ,  金子 尚史
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所 ,  荏原ユージライト株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-365464
公開番号（公開出願番号）：特開2001-181854
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：

【要約】【課題】 めっき速度を制御しつつ、半導体特性への影響が少なく、かつ作業者の健康管理上も問題が無いような無電解めっき液、あるいはこれを用いた無電解めっき工程を用いた配線形成方法を提供する。【解決手段】 埋め込み配線構造を有する半導体装置に薄膜銅配線を形成する無電解銅めっき液において、二価の銅イオンと、錯化剤と、アルデヒド酸と、有機アルカリとを含有する。

請求項（抜粋）：

埋め込み配線構造を有する半導体装置に薄膜銅配線を形成する無電解銅めっき液において、二価の銅イオンと、錯化剤と、アルデヒド酸と、有機アルカリとを含有することを特徴とする無電解銅めっき液。

IPC (2件)：

C23C 18/40 ,  H01L 21/288

FI (2件)：

C23C 18/40 ,  H01L 21/288 E

Fターム (11件)：

4K022AA05 ,  4K022BA08 ,  4K022DA01 ,  4K022DB06 ,  4K022DB28 ,  4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD53 ,  4M104FF22

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開昭61-183474
  
• スプレー・プロセッサを用いる金属膜の無電解めっき
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-523003   出願人：エフエスアイインターナショナルインコーポレイテッド
• 特開昭61-227176
  
• めっき液およびめっき方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-142560   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭61-183474
  
• 特開昭61-227176