特許

J-GLOBAL ID：200903087983579144

固体撮像素子及びそれを有する光学機器

発明者： 奥野 丈晴
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 高梨 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-338726
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147991
出願日： 2004年11月24日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】 光電変換部と絶縁膜との界面での光の反射を低減し、フレアやゴーストなどのノイズ光の発生を抑制するとともに、高感度な固体撮像素子を得ること。【解決手段】 シリコンからなる基板に、入射した光の強度に応じて電荷を発生させる光電変換素子を形成した固体撮像素子であって、 該光電変換素子の光入射側にシリコン酸化膜からなる絶縁膜を介して、微細凹凸構造体が形成されていること。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板に入射した光の強度に応じて電荷を発生させる光電変換部を形成した固体撮像素子であって、 該光電変換素子の光入射側に薄膜を介して、凹凸構造体を有することを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  H04N 5/335 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L27/14 D ,  H04N5/335 U ,  H01L31/10 Z

Fターム (26件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA09 ,  4M118CA02 ,  4M118CA32 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA33 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024BX01 ,  5C024BX07 ,  5C024CX01 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5F049MA01 ,  5F049NA02 ,  5F049NB05 ,  5F049RA02 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ03 ,  5F049SZ04 ,  5F049TA12 ,  5F049TA13 ,  5F049WA03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 固体撮像装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-235826   出願人：松下電子工業株式会社
• 光電変換装置およびその製造方法ならびに固体撮像装置ならびにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-046263   出願人：ソニー株式会社