強誘電体薄膜、強誘電体薄膜被覆基板、キャパシタ構造素子、及び強誘電体薄膜の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-353049
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186376
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】本発明は、残留自発分極及び抗電界を制御可能とし、大きな残留自発分極を得ることができ、更に薄膜の表面が緻密かつ平坦でリーク電流特性に優れた強誘電体薄膜、強誘電体薄膜被覆基板、キャパシタ構造素子、及び強誘電体薄膜の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】 Bi、Ti、及びOを構成元素として含む強誘電体結晶から成る強誘電体薄膜において、その強誘電体薄膜中のBi/Tiの組成比が化学量論組成からずれた強誘電体薄膜としている。

請求項（抜粋）：

Bi、Ti、及びOを構成元素として含む強誘電体結晶から成る強誘電体薄膜において、前記強誘電体薄膜中のBi/Tiの組成比が化学量論組成からずれていることを特徴とする強誘電体薄膜。

IPC (12件)：

H01L 49/02 , C01G 23/00 , C23C 16/40 , G11C 11/22 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 37/02

FI (8件)：

H01L 49/02 , C01G 23/00 Z , C23C 16/40 , G11C 11/22 , H01L 37/02 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-158824
特開昭61-247622
特開平4-133369

全件表示

前のページに戻る