特許
J-GLOBAL ID：200903088045814491
半導体発光装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-179956
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012905
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 発光効率の向上を図る。【解決手段】 n型のAlx Ga1-x As層103の上の最上層にn型のGaAs層104を形成した半導体基板100を用い、半導体基板100の表面から選択的にp型不純物であるZnを拡散させることにより、GaAs層104内およびAlx Ga1-x As層103内にp型拡散領域106を形成し、半導体基板100の表面にエッチング領域110を形成することにより、GaAs層104内の横方向拡散フロント130b、およびGaAs層104とAlx Ga1-x As層103の界面近傍の横方向拡散フロント130bを除去し、拡散フロント130およびこの拡散フロント130によるpn接合109がAlx Ga1-x As層103の内部だけに存在する構造とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層を有する半導体基板の基板上面から第1導電型の半導体層に第2導電型の不純物を選択的に拡散することによりpn接合を有する発光素子を形成した半導体発光装置において、基板上面付近の第2導電型不純物拡散領域の少なくとも横方向拡散フロントが、エッチング除去されていることを特徴とする半導体発光装置。
Fターム (14件)：
5F041AA03
, 5F041CA02
, 5F041CA03
, 5F041CA04
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA53
, 5F041CA57
, 5F041CA72
, 5F041CA74
, 5F041CA91
, 5F041CA98
, 5F041CA99
, 5F041CB22
