特許
J-GLOBAL ID：200903088045820645
半導体装置の製造方法及びその製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-076798
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274102
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 シリサイドの形成時にシリコンに損傷層を有していても安定したシリサイド層を形成できるようにする。【解決手段】 まず、層間絶縁膜12に対してドライエッチングを行なってコンタクトホール12aを形成し、その後、該コンタクトホール12aの底面及び周面を含む全面にわたって、TiNよりなるバリア層14及びTiよりなる密着層15を順次堆積する。次に、バリア層14側のTi原子と基板11のSi原子との互いの拡散のみを行ない、シリサイド化が生じない温度である400°Cで少なくとも1時間の拡散用熱処理を行なってシリコン原子をバリア層14側に且つTi原子を基板11中に十分に拡散させることにより、拡散層16Aを形成する。次に、シリサイド化反応が起こる温度である500°C〜800°Cで60秒以内の短時間のシリサイド化用熱処理を行なう。
請求項（抜粋）：
シリコンよりなる半導体層の上面に遷移金属よりなる導体膜を形成する導体膜形成工程と、前記半導体層と前記導体膜とがシリサイド化反応を起こさない第1の温度で前記半導体層及び導体膜を加熱することにより、前記半導体層と前記導体膜との界面に該半導体層のシリコン原子と該導体膜の金属原子とを互いに拡散させる拡散工程と、前記半導体層と前記導体膜とがシリサイド化反応を起こす第2の温度で前記半導体層及び導体膜を加熱することにより、前記半導体層と前記導体膜との界面に該半導体層と該導体膜とがシリサイド化反応してなるシリサイド層を形成するシリサイド層形成工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 21/28 301 S
, H01L 29/78 301 P
