シリサイド層の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-266422
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130196
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】本発明は、微細領域に、安定してかつ凝集を起こすことなく均一な膜厚のシリサイド層の形成を図る。【構成】シリコン基体11上にシリサイド化される金属層14を形成する第1工程で、金属層14を形成する際にシリコン基体11と金属層14との間に、酸素および窒素のうちの少なくとも一方を含む層として、例えば酸素を含む層15を設け、第2工程で、シリコン基体11のシリコンと金属層14の金属とを反応させてシリサイド層16を形成する。上記酸素および窒素のうちの少なくとも一方を含む層の形成方法の一例としては、不純物導入技術として、例えばイオン注入法によってシリコン基体11と金属層14との界面近傍に酸素および窒素のうちの少なくとも一方を導入する方法がある。

請求項（抜粋）：

シリコン基体上にシリサイド化される金属層を形成する第1工程と、該シリコン基体のシリコンと該金属層の金属とを反応させてシリサイド層を形成する第2工程とからなるシリサイド層の製造方法において、前記第1工程で、前記シリコン基体上に前記金属層を形成する際に、該シリコン基体と該金属層との間に酸素および窒素のうちの少なくとも一方を含む層を設けることを特徴とするシリサイド層の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/265 , H01L 21/322

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-025123
特開昭60-153121
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-189755 出願人：ソニー株式会社

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