特許

J-GLOBAL ID：200903088057856637

格子界面を有する画素セル

発明者： ウィリアム、ジェイ.バッゲンストス
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-522578
公開番号（公開出願番号）：特表2008-507152
出願日： 2005年07月15日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：

画素セルであって、シリコン基板の中のフォトセンサと、前記フォトセンサの上に備えられ且つ前記シリコン基板との格子界面を有する酸化層と、を有する。および格子界面を有する画素セルを製作する方法。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の中のフォトセンサと、 前記フォトセンサの上に備えられた酸化層であって、前記酸化層と前記基板が格子界面を定める、酸化層と、 を備える画素セル。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L27/14 A ,  H01L31/10 A ,  H04N5/335 U

Fターム (26件)：

4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CA34 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA33 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX07 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5F049MA04 ,  5F049MB03 ,  5F049NA04 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049PA14 ,  5F049QA11 ,  5F049RA02 ,  5F049RA08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭50-080793
  
• 光電変換装置およびその製造方法ならびに固体撮像装置ならびにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-046263   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-180440   出願人：三菱電機株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "A Monolithic Phase Measurement Photodetector"