半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-180440
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007380
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】本発明はPN接合ダイオードで構成される光検出器と、その内部で発生する光信号電荷の送出を制御する制御トランジスタとを備える半導体装置に関し、PN接合ダイオードと制御トランジスタとの間に十分な電荷搬送能力を確保することを目的とする。【解決手段】 P型基板14の表面にゲート酸化膜18およびゲート電極20を設ける。P型基板14の、ゲート電極20と隣接する領域に凹部42を設ける。P型基板14の、ゲート電極20を挟んで凹部42と反対側にN型ドレイン領域30を設ける。P型基板14に所定の注入角度でN型不純物を注入することにより、凹部42の直下の領域を含むと共にゲート酸化膜18の直下に潜り込むN型領域44を形成する。P型基板14に垂直にP型不純物を注入することにより、凹部42の直下の領域を含むと共にN型領域44を覆い、かつ、N型領域44と共にPN接合ダイオードを構成するP型領域46を形成する。合ダイオードを構成する。

請求項（抜粋）：

P型またはN型の一方である第1導電型の半導体と、P型またはN型の他方である第2導電型の半導体とを含み、フォトダイオードとして機能するPN接合ダイオードと、その内部に発生する光信号電荷の送出を制御する制御トランジスタとを備える半導体装置であって、第1導電型に調整された第1導電型基板と、前記第1導電型基板の表面に設けられるゲート酸化膜およびゲート電極と、前記第1導電型基板の、前記ゲート電極と隣接する領域に設けられる凹部と、前記第1導電型基板の、前記ゲート電極を挟んで前記凹部と反対側に設けられる第2導電型ドレイン領域と、前記凹部の直下の領域を含み、かつ、前記ゲート酸化膜の直下に潜り込むように前記第1導電型基板に設けられる第2導電型領域と、前記凹部の直下の領域を含み、かつ、前記第2導電型領域を覆うように前記第1導電型基板に設けられ、前記第2導電型領域と共にPN接合ダイオードを構成する第1導電型領域と、を備えることを特徴とする半導体装置。

Fターム (10件)：

5F049MA02 , 5F049MB12 , 5F049NA01 , 5F049NA20 , 5F049NB05 , 5F049PA10 , 5F049PA14 , 5F049RA04 , 5F049RA08 , 5F049SS03

引用特許：

審査官引用 (10件)

固体撮像素子とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-309638 出願人：株式会社ニコン
特開昭63-116460
特開平1-147862

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