特許
J-GLOBAL ID：200903088100705710
レジストパターン形成用のマスク、レジストパターンの形成方法およびレンズの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-311002
公開番号（公開出願番号）：特開平8-166666
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：
【要約】【目的】 レジストを用いて、レンズ形状を任意に制御することが可能なマイクロレンズアレイの製造方法を提供すること。【構成】 マスク基板11上に、同心円状に設けられたマスクパターン15が設けられており、マスクパターン15の間の間隔が外側に向かうに従って大きい。そして、ピッチはマスクが用いられる露光装置の解像限界より小さい。このようなマスクを露光装置にセットして、レンズ形成用基板上に設けられたレジストを露光した後、現像した。その後、形成されたレジストパターンをドライエッチングによりレンズ形成用基板上に転写した。
請求項（抜粋）：
レジストパターン形成用のマスクにおいて、マスク基板上に、光透過領域となる空隙を隔てて同心円状または同心多角形状に設けられた遮光領域としての複数のマスクパターンを具え、前記同心円または同心多角形の中心点から放射線方向に沿って外側に向かうに従って隣接する2つのパターン間の前記空隙の幅が少なくとも段階的に大きくなっており、前記マスクパターンの、前記放射線方向に沿う方向のピッチが、マスクが用いられる露光装置の光学系の解像限界となる長さより小さいことを特徴とするレジストパターン形成用のマスク。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G02B 3/00
, H01L 21/027
