特許
J-GLOBAL ID：200903088112256725

パワー半導体素子回路及びこれを用いたインバータ装置

発明者：
菅原 良孝

菅原 良孝 について


出願人/特許権者：
関西電力株式会社

関西電力株式会社 について


代理人 (1件)： 東島 隆治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-128218
公開番号（公開出願番号）：特開2002-325427
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：
【要約】【課題】 従来のパワー半導体素子回路では検出用コイルや検出用抵抗を用いて電流を検出していたので、緩やかに変化する直流電流を検出できず検出部での電力損失が大きかった。また検出速度も遅かった。【解決手段】 パワー半導体素子回路のパワー半導体素子に、発光性ワイドギャップ半導体材料を用いた素子を用い、通電電流の検出をパワー半導体素子自体が発光する光を受光素子で検出して行う。受光素子の検出信号をパワー半導体素子のゲート駆動回路に印加してパワー半導体素子の電流を制御する。
請求項（抜粋）：
電源と負荷とを接続する電路に設けられて前記電路の電流を制御する、発光性ワイドギャップ半導体材料で形成され、通電電流に応じて変化する放射光を発する半導体制御素子、前記半導体制御素子の放射光を検出し検出信号を出力する受光素子、及び前記受光素子の前記検出信号が入力され、前記検出信号に応じた制御信号を前記半導体制御素子のゲートに印加して前記半導体制御素子の通電電流を制御するゲート駆動回路を有するパワー半導体素子回路。
IPC (6件)：
H02M 1/00 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/744 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 655 ,  H01L 29/78 657
FI (6件)：
H02M 1/00 H ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 655 Z ,  H01L 29/78 657 G ,  H01L 29/74 C ,  H01L 29/74 E
Fターム (10件)：
5F005AA03 ,  5F005AE01 ,  5F005AE09 ,  5F005AF02 ,  5F005FA03 ,  5H740AA08 ,  5H740BA01 ,  5H740BA11 ,  5H740BB01 ,  5H740MM11
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特開昭59-068025
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-140546   出願人：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社
  • 特開平4-237135
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