特許
J-GLOBAL ID：200903088120814974
基板接合構造の製造方法及び端子形成基板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
梶 良之
, 須原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-099566
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278964
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】 第1端子と第2端子とを高い信頼性で電気的に接合する。【解決手段】 FPC50に端子51を形成するときは、まず、コア52を形成しその後コア52の表面上にはんだ膜53を形成する。このとき、FPC50の下面40aからのコア52の高さと、はんだ膜53の膜厚との比が1:1〜2:1の範囲となるようにコア52及びはんだ膜53を形成する。そして、FPC50の端子51とアクチュエータユニット21のランド36とを接合するときは、端子51をランド36に対して押圧しつつ端子51を加熱する。【選択図】 図12
請求項（抜粋）：
第1基板上に形成された複数の第1端子と第2基板上に形成された複数の第2端子とが電気的に接合された基板接合構造の製造方法において、
前記第1基板の表面から突出した金属コアが前記金属コアよりも融点の低いはんだ膜によって被覆された前記第1端子を前記第1基板に形成する第1端子形成工程と、
導電性の前記第2端子を前記第2基板に形成する第2端子形成工程と、
前記第1基板と前記第2基板とを加圧しつつ前記はんだ膜の融点以上且つ前記金属コアの融点未満の温度に加熱することによって、前記第1端子と前記第2端子とを電気的に接合する接合工程とを備えており、
前記第1端子形成工程において、前記第1基板の厚み方向に関する前記表面からの前記金属コアの高さと、前記はんだ膜の膜厚との比を、1:1〜2:1の範囲とすることを特徴とする基板接合構造の製造方法。
IPC (3件)：
H05K 3/36
, H05K 1/14
, B41J 2/16
H05K3/36 B
, H05K3/36 A
, H05K1/14 C
, B41J3/04 103H
2C057AF93
, 2C057AG84
, 2C057AP02
, 2C057AP25
, 5E344AA01
, 5E344AA22
, 5E344BB02
, 5E344BB04
, 5E344CC14
, 5E344CC23
, 5E344CD05
, 5E344DD05
, 5E344EE06
, 5E344EE30
