特許

J-GLOBAL ID：200903088121000113

半導体モジュール

発明者： 大曽根 靖夫 ,  飯塚 守 ,  小山 賢治 ,  中里 典生
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-218052
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031717
出願日： 2001年07月18日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】ボンディングワイヤから配線層に通過する電流による熱流束の分布を均一化し、小型でありながら半導体モジュール内部における特定領域の温度の異常上昇を防止でき信頼性の高い半導体モジュールを実現する。【解決手段】コスト低減等の目的から半導体モジュールの寸法を縮小すると、半導体素子4の発熱影響を受けない配線層23の幅を縮小することが求められる。この結果、配線層23を通過する電流による自己発熱とボンディングワイヤ5の発熱損失のうち配線層23に流入する熱量との合計熱量による温度上昇が大きくなる。そこで、配線層23の幅を通過電流の増加に対応して徐々に広くなるように変え、さらに、ボンディングワイヤ5のボンディング領域幅を広げ、伝導により伝えられる熱流束をほぼ均一化すれば、配線層23における温度分布のばらつきを低減すると同時にボンディングワイヤ5の過熱を防止することができる。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、この半導体素子の入出力電流が通過するボンディングワイヤと、このホンディングワイヤを介して半導体素子の入出力電流が通過する配線とを備える半導体モジュールにおいて、上記配線を通過する電流によってこの配線内部で生じる熱量と、上記ボンディングワイヤを通過する電流によって上記ボンディングワイヤで生じる発熱損失のうち、上記配線側に流入する熱量との合計が、上記配線層の電流通過方向でほぼ一様な分布密度を持つように上記配線の幅が変化していることを特徴とする半導体モジュール。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-002818   出願人：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社
• ワイヤボンディング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-131354   出願人：芝浦メカトロニクス株式会社