特許
J-GLOBAL ID:200903088121072068

電子デバイスおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石井 陽一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-321518
公開番号(公開出願番号):特開平11-345745
出願日: 1998年10月27日
公開日(公表日): 1999年12月14日
要約:
【要約】【課題】 簡単な工程で均一な酸化物層が得られ、この酸化物層により与えられる抵抗値の制御が容易で高精度が得られ、しかも酸化物層と他の金属含有層との接着強度が良好で、リード線の接着強度に優れ、さらに、安定した温度特性を有する電子デバイスの製造方法、および電子デバイスを実現する。【解決手段】 少なくとも金属を含有する第1の金属層と、金属粒子を焼成して形成された第2の金属層とを有し、この2つの金属層間に酸化物中間層を有する電子デバイスであって、前記第2の金属層に含有される金属粒子の酸化還元平衡曲線が、第1の金属層に含有される金属の酸化還元平衡曲線より上位に位置し、前記酸化物中間層は第1の金属層に含有されている金属の酸化物を含有する電子デバイスとした。
請求項(抜粋):
少なくとも金属を含有する第1の金属層と、金属粒子を焼成して形成された第2の金属層とを有し、この2つの金属層間に酸化物中間層を有する電子デバイスであって、前記第2の金属層に含有される金属粒子の酸化還元平衡曲線が、第1の金属層に含有される金属の酸化還元平衡曲線より上位に位置し、前記酸化物中間層は第1の金属層に含有されている金属の酸化物を含有する電子デバイス。
IPC (3件):
H01G 4/40 ,  H01C 7/00 ,  H01C 13/00
FI (3件):
H01G 4/40 307 A ,  H01C 7/00 K ,  H01C 13/00 C
引用特許:
審査官引用 (7件)
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