特許
J-GLOBAL ID：200903088125336582

ヒューズ構造

発明者：
筒井 俊和

筒井 俊和 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-258644
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073947
出願日： 2004年09月06日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】 上層電気ヒューズの一端と下層電気ヒューズの一端にかかる電位を容易に一致させることができるヒューズ構造を得る。【解決手段】 本発明のヒューズ構造は、上下に配置された上層電気ヒューズ及び下層電気ヒューズを有する。そして、これらの上層電気ヒューズ及び下層電気ヒューズは、電気的にバイアスを加えることで溶断することができる。さらに、上層電気ヒューズの一端と下層電気ヒューズの一端は、共通接続されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電気的にバイアスを加えることで溶断することができる、上下に配置された上層電気ヒューズ及び下層電気ヒューズを有し、 前記上層電気ヒューズの一端と前記下層電気ヒューズの一端が共通接続されていることを特徴とするヒューズ構造。
IPC (4件)：
H01L 21/82 ,  H01L 27/10 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/824
FI (5件)：
H01L21/82 R ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 681Z ,  H01L21/82 W ,  H01L21/82 D
Fターム (23件)：
5F064BB12 ,  5F064CC09 ,  5F064EE09 ,  5F064EE23 ,  5F064EE26 ,  5F064EE27 ,  5F064EE32 ,  5F064EE33 ,  5F064EE36 ,  5F064FF02 ,  5F064FF27 ,  5F064FF46 ,  5F064HH10 ,  5F083AD00 ,  5F083BS00 ,  5F083EP00 ,  5F083GA13 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083ZA10
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-264723   出願人：松下電器産業株式会社
審査官引用 (8件)
  • 特開昭63-278250
  • 特開昭56-085846
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-331082   出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社
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