特許
J-GLOBAL ID：200903088162488589
トレンチキャパシタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
原 謙三
, 木島 隆一
, 金子 一郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-541723
公開番号（公開出願番号）：特表2004-514277
出願日： 2001年11月02日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
本発明は、細孔(3-12)を有するトレンチ(3-9)を備えるトレンチキャパシタの製造方法に関するものである。このトレンチキャパシタは、個々のキャパシタと集積半導体メモリとの双方に適している。メソ細孔は、トレンチキャパシタの電極のための表面を著しく上昇させ、これにより、トレンチキャパシタの容量を著しく上昇させる。本発明では、木食い虫が作るのと類似した小さなチャネルであり、2〜50nmの範囲の直径を有しているメソ細孔が、電気化学的に生成される。この方法により、高い容量対体積比率を有する容量を生成できる。本発明は、さらに、メソ細孔が、他のメソ細孔との、または、隣り合うトレンチとの最短距離に達すると、メソ細孔の成長が停止するという点で有利である(自己不活性化)。その結果、2つの隣り合うメソ細孔の間に短絡が生じることを、自己制御方法により防止できる。また、本発明は、本発明の方法を用いて生成できる半導体基板の正面側に、少なくとも1つのトレンチキャパシタを有している半導体装置にも関するものでもある。
請求項（抜粋）：
半導体基板の正面側に1つまたは複数のトレンチであって、そのトレンチ壁表面において予めnドーピングされたトレンチを有する半導体基板を用意する工程と、
電解液を、半導体基板の正面側に塗布する工程と、
電圧を、半導体基板の背面側と電解液との間に印加し、その結果、所定の電流密度を有する電流が流れ、かつ、メソ細孔がトレンチ壁に生成される工程と、
第1電極を、トレンチおよびこれに属するメソ細孔に生成する工程と、
誘電体を、第1電極に塗布する工程と、
第2電極を、誘電体に形成する工程とを有する、少なくとも1つのトレンチキャパシタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/8242
, H01L21/3063
, H01L27/108
H01L27/10 625A
, H01L21/306 L
5F043AA02
, 5F043BB02
, 5F043DD14
, 5F043EE14
, 5F043FF02
, 5F043GG10
, 5F083AD17
, 5F083GA27
, 5F083JA04
, 5F083JA19
, 5F083PR03
, 5F083PR05
, 5F083PR21
, 5F083PR36
