特許
J-GLOBAL ID：200903088170093534
材料の精製方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
志賀 正武
, 鈴木 慎吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-249818
公開番号（公開出願番号）：特開2009-078948
出願日： 2007年09月26日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：
【課題】金属、合金、半導体などの材料を電子ビームの照射により溶融することにより、その材料に含まれる不純物元素を除去し、不純物元素の対流攪拌や拡散を抑制し、十分に精製された高純度の材料を得ることができる材料の精製方法を提供する。【解決手段】減圧下にて、耐熱容器11に材料13を連続的に供給し、材料13に電子ビーム16,17を照射して、溶融するとともに不純物元素を蒸発させて精製し、耐熱容器11から精製済みの材料13をオーバーフローさせて精製品を得る方法であって、材料13への電子ビーム16,17の照射を制御して、耐熱容器11の長手方向に沿って未溶融部分を1箇所以上形成し、かつ未溶融部分の幅を超える範囲で、未溶融部分を往復移動させることにより、互いに仕切られた溶融部分間の対流、拡散による均一化を抑制し精錬効果を高めたことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
減圧下にて、耐熱容器に、その長手方向の一端側から金属、合金、半導体のいずれか1種からなる材料を連続的に供給し、前記材料に電子ビームを照射して、前記材料を溶融するとともに、前記材料より蒸気圧の高い不純物元素を蒸発させて精製し、前記耐熱容器の長手方向の他端側から精製済みの前記材料をオーバーフローさせて精製品を得る材料の精製方法であって、
前記耐熱容器内の材料への前記電子ビームの照射を制御して、その長手方向に沿って前記材料の未溶融部分を1つ以上形成することにより、前記材料の溶融部分を2つ以上に分割し、かつ、前記未溶融部分を、前記長手方向に前記未溶融部分の領域を超える範囲にて往復移動させることを特徴とする材料の精製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
4G072AA01
, 4G072BB01
, 4G072GG03
, 4G072HH01
, 4G072MM08
, 4G072MM38
, 4G072NN02
, 4G072NN05
, 4G072RR30
, 4G072UU02
, 4K001AA23
, 4K001BA23
, 4K001EA02
, 4K001FA13
出願人引用 (2件)
-
シリコンの精製方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-328451
出願人：川崎製鉄株式会社
-
シリコンの精製方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-009672
出願人：川崎製鉄株式会社
審査官引用 (1件)
-
シリコンの精製方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-009672
出願人：川崎製鉄株式会社
前のページに戻る
