特許

J-GLOBAL ID：200903088175767193

半導体装置の製造方法

発明者： 松永 啓一 ,  長野 能久
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-057510
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257946
出願日： 2002年03月04日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】 反応生成物の剥離による強誘電体材料の加工不良を無くし、正常な特性を有する半導体装置を得ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 上部電極8と、被エッチング膜を有する支持基板1とが対向する構成のドライエッチング装置を用いて、半導体装置を製造する。ドライエッチング装置のメンテナンス後に、まず、上部電極8の被エッチング膜との対向面上に密着層11を形成する。次いで、被エッチング膜(強誘電体材料2)をドライエッチングして、密着層11上にエッチングガスと強誘電体材料2との反応生成物9を形成する。

請求項（抜粋）：

上部電極と、被エッチング膜を有する支持基板とが対向する構成のドライエッチング装置を用いる半導体装置の製造方法であって、前記ドライエッチング装置のメンテナンス後に、前記上部電極の前記被エッチング膜との対向面上に密着層を形成する第1工程と、前記被エッチング膜をドライエッチングして、前記密着層上にエッチングガスと前記被エッチング膜との反応生成物を形成する第2工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 21/302 101 H ,  H01L 27/04 C

Fターム (7件)：

5F004AA14 ,  5F004BA04 ,  5F004CA05 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ドライエッチング方法およびドライエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-371034   出願人：富士通株式会社
• プラズマエッチング方法およびプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-233357   出願人：三菱電機株式会社
• プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-128791   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-175180   出願人：富士通株式会社