特許

J-GLOBAL ID：200903088216142268

形状シミュレーション方法

発明者： 太田 敏行
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 開口 宗昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-134745
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326756
出願日： 1997年05月26日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】 本発明の課題は、イオンアシストエッチング等の複数の粒子が関与するエッチングの解析が可能であり、かつ解析精度が向上されたエッチングの形状シミュレーション方法を提供することである。【解決手段】 表面の複数原子の吸着状態を表面状態データ構造体群から選択し、選択した吸着状態に粒子が入射したときの表面反応を計算する際に、分子動力学を用いてあらかじめ計算された表面反応テーブルを用いる。【選択図面】 図1

請求項（抜粋）：

プラズマエッチングによりエッチングされた被エッチング材料の形状をモンテカルロ法を用いて解析する形状シミュレーション方法において、バルクプラズマ全体あるいは前記バルクプラズマのシース部を第1の乱数を用いて解析する工程と、プラズマからの被エッチング材料への入射粒子の種類を第2の乱数を用いて決定する工程と、前記入射粒子が衝突する被エッチング材料の複数原子の吸着状態を被エッチング材料表面の吸着状態を示すデータ群から第3の乱数を用いて決定する工程と、前記入射粒子と前記衝突する被エッチング材料の複数原子の吸着状態との表面反応を、予め分子動力学を用いた計算により作成された表面反応群を記述したテーブルを用いて第4の乱数により決定する工程を有することを特徴とする形状シミュレーション方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/00

FI (3件)：

H01L 21/302 Z ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 固相と気相との相互反応のシミュレーション方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-266203   出願人：ソニー株式会社
• プラズマプロセス運転支援方法及びその装置並びにプラズマプロセス装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-161372   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平2-224228
  
• 特開平4-324657