特許
J-GLOBAL ID：200903088237586573
磁気記憶素子の書き込み回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加古 進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-313177
公開番号（公開出願番号）：特開2003-123463
出願日： 2001年10月10日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】【課題】磁気記憶素子への書き込み等に対する発生ノイズを小さくする。【解決手段】(a)は、アドレスされた磁気記憶セルに対して印加する駆動電流Idを示している。駆動電流Idの値はIth>Id>Im/2である。(b)は、磁気記憶素子へ、駆動電流Idに重畳して加える書き込み・読み出し電流Iw,Irを示している。書き込み電流Iw,読み出し電流Irの値も、Ith>Iw>Im/2,Ith>Ir>Im/2である。(c)は、重畳された駆動電流+書き込み・読み出し電流を示している。書き込みは、飽和電流Imより大きい電流を使用する。同様に、破壊読出しは、駆動電流Id+破壊読出し電流Ir≧飽和電流Imである。(d)は、読み出し線74に読み出されたデータ検出電流を示している。このデータ検出電流を用いて、(e)に示されているようなデータ出力を得ることができる。
請求項（抜粋）：
磁化状態でデータを記憶する磁気記憶素子の書き込み回路であって、前記磁気記憶素子へ、駆動電流を印加するとともに、前記駆動電流に重畳して、書き込み電流を前記磁気記憶素子に印加して、前記書き込み電流は、前記駆動電流に対して時間差を有して前記磁気記憶素子に印加し、前記磁気記憶素子の磁化状態を変化させることを特徴とする書き込み回路。
IPC (3件)：
G11C 11/14
, H01L 27/105
, H01L 43/08
G11C 11/14 Z
, G11C 11/14 A
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
