特許

J-GLOBAL ID：200903088261256320

半導体製造装置および半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 最上 和人 ,  榎並 弘充 ,  細谷 勝彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立北海セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-228674
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043297
出願日： 2000年07月28日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】 プラズマプロセスを用いたエッチング時における半導体ウェハ上への異物の落下を低減する。【解決手段】 マイクロ波エッチング装置が有するサセプタ4の表面(上面)に、その中心部から外周部に向かって放射状に延在する溝12を設ける。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハ上に堆積された薄膜をプラズマによってエッチングする工程に用いられる半導体製造装置であって、前記半導体ウェハを搭載する第1電極部と、絶縁物により形成され、前記第1電極部の露出部を平面リング状に覆う第1カバー部とを有し、前記第1カバー部の上面にはその中心部より外周部に向かって放射状に延在する第1溝部が設けられていることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/768 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H05H 1/46 C ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/90 A

Fターム (43件)：

5F004AA09 ,  5F004AA14 ,  5F004BA15 ,  5F004BB14 ,  5F004BB21 ,  5F004BB23 ,  5F004BB29 ,  5F004BD04 ,  5F004DB02 ,  5F033HH08 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK19 ,  5F033KK23 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033KK29 ,  5F033LL04 ,  5F033MM05 ,  5F033MM07 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033TT08 ,  5F033XX21 ,  5F033XX31

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 乾燥蝕刻装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-267241   出願人：三星電子株式会社
• ドライエッチング装置及びドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-208273   出願人：株式会社アドバンスト・ディスプレイ