特許

J-GLOBAL ID：200903098978223600

乾燥蝕刻装置

発明者： 林 鍾顯 ,  蔡 煕善
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-267241
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321608
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 ポリマーによる粒子発生が抑制させて、ポリマーの堆積を分散させる。【解決手段】 蝕刻工程が行われる蝕刻チャンバ103と、第1ガス配管102を通して前記蝕刻チャンバの上端に連絡されたガス注入口100と、第2ガス配管110を通して蝕刻チャンバ103の下端に連結されたポンプ112と、蝕刻チャンバ103内の上側に配置されて、ガスディフューザ106が具備された円形形状のガスディフューザプレート114と複数の溝108が具備されたリング形状の絶縁部116とでなる上部電極104と、上部電極104と対応される位置の前記蝕刻チャンバ103内の下側に配置されて、ウェハが位置される円形形状のウェハステージ112と複数の溝108が具備されたリング形状の絶縁部120とでなる下部電極108とで構成される。

請求項（抜粋）：

蝕刻工程が行われる蝕刻チャンバと、第1ガス配管を通して前記蝕刻チャンバの上端に連結されたガス注入口と、第2ガス配管を通して前記蝕刻チャンバの下端に連結されたポンプと、前記蝕刻チャンバ内の上側に配置されて、ガスディフューザが具備された円形形状のガスディフューザプレートとリング形状の絶縁部とでなる上部電極と、前記上部電極と対応される位置の前記蝕刻チャンバ内の下側に配置されて、ウェハが位置される円形形状のウェハステージとリング形状の絶縁部とでなる下部電極とで構成されて、前記上部電極の絶縁部と前記下部電極の絶縁部の中で少なくともいずれか一方には、複数の溝が具備されることを特徴とする乾式蝕刻装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ドライエツチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-302581   出願人：日電アネルバ株式会社
• ドライエッチング装置およびドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-047883   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭63-016625
  
• 特開昭64-084621