特許

J-GLOBAL ID：200903088263298292

成膜方法及び半導体装置

発明者： 猪鹿倉 博志 ,  鈴木 智美 ,  塩谷 喜美 ,  前田 和夫 ,  大平 浩一
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-106937
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291713
出願日： 2000年04月07日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】 誘電率が低く、かつエッチング加工が容易なシリコン含有絶縁膜の成膜方法、及び該成膜方法により成膜されたシリコン含有絶縁膜を備えた半導体装置を提供すること。【解決手段】 シロキサン結合とSi-R結合(Rはアルキル基)とを有する化合物と、酸化性ガスと、H2 とを含む反応ガスをプラズマ化して反応させ、被堆積基板103上にシリコン含有絶縁膜204を成膜する成膜方法による。

請求項（抜粋）：

シロキサン結合とSi-R結合(Rはアルキル基)とを有する化合物と、酸化性ガスと、H2 とを含む反応ガスをプラズマ化して反応させ、被堆積基板上にシリコン含有絶縁膜を成膜する成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/312 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/312 C ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/31 C

Fターム (35件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA04 ,  4K030KA17 ,  4K030LA02 ,  5F045AA08 ,  5F045AB39 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC17 ,  5F045AD07 ,  5F045AE21 ,  5F045AF08 ,  5F045AF10 ,  5F045BB16 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH13 ,  5F045EK07 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF02 ,  5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 化学気相成長法と化学気相成長装置および多層配線の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-320973   出願人：日本電気株式会社
• 酸化ケイ素薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-041758   出願人：株式会社ジーティシー