特許
J-GLOBAL ID:200903088293665419
トランジスタ及びそれを用いた表示装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
奥田 誠司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-282615
公開番号(公開出願番号):特開2003-092407
出願日: 2001年09月18日
公開日(公表日): 2003年03月28日
要約:
【要約】【課題】 導電性高分子を用いたトランジスタの特性および/または信頼性を改善する。【解決手段】 第1電極4と、第2電極5と、第1電極4と第2電極5との間に設けられた半導体層6と、半導体層6に電界を印加するための第3電極2とを備える。半導体層6は、超分岐高分子を含み、且つ、超分岐高分子を介した非共有結合的相互作用による自己組織化構造を有する。
請求項(抜粋):
第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた半導体層と、前記半導体層に電界を印加するための第3電極とを備え、前記半導体層は、超分岐高分子を含み、且つ、前記超分岐高分子を介した非共有結合的相互作用による自己組織化構造を有する、トランジスタ。
IPC (5件):
H01L 29/786
, G02F 1/1368
, G09F 9/30 330
, G09F 9/30 338
, H01L 51/00
FI (5件):
G02F 1/1368
, G09F 9/30 330 Z
, G09F 9/30 338
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/28
Fターム (51件):
2H092JA23
, 2H092JA26
, 2H092JA28
, 2H092KA09
, 2H092MA02
, 2H092NA27
, 5C094AA15
, 5C094AA31
, 5C094BA03
, 5C094BA43
, 5C094EB05
, 5C094FB14
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE42
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF09
, 5F110FF22
, 5F110GG05
, 5F110GG19
, 5F110GG28
, 5F110GG42
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK09
, 5F110HK14
, 5F110HK16
, 5F110HK21
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110NN71
, 5F110NN72
引用特許:
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