半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：春日讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-319078
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101632
出願日： 2004年11月02日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】微細化に伴う特性の低下を抑制可能で、信頼性の高い半導体装置を実現する。【解決手段】シリコン基板1の上に拡散層2〜5が形成され、これら拡散層2〜5の上にゲ-ト絶縁膜6、7及びゲ-ト電極8、9が形成され、MOSトランジスタが構成される。ゲート絶縁膜6、7には主構成材料として酸化ジルコニウム又は酸化ハフニウムが用いられる。ゲート絶縁膜6、7は化学気相蒸着法等を用いて形成される。熱処理の際にシリコン基板1やゲート電極8、9に酸素が拡散しにくいように基板1には表面が(111)結晶面である基板を用いる。表面が(111)面の基板を用いた場合は表面が(001)面であるシリコン基板を用いた場合の酸素拡散係数の100分の1未満であり酸素拡散が抑制される。酸素拡散が抑制されることによりリーク電流の発生が抑制され、特性が向上される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、このシリコン基板の一主面側に形成された酸化ジルコニウムを主構成材料とするゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜に接触して形成されたゲート電極膜とを備える半導体装置において、上記シリコン基板の一主面がシリコンの(111)結晶面に平行であることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786

FI (10件)：

H01L29/78 301G , H01L21/28 301A , H01L21/28 301S , H01L29/78 301Q , H01L29/78 301Z , H01L27/10 621C , H01L29/78 620 , H01L29/78 617J , H01L29/78 617T , H01L29/58 G

Fターム (81件)：

4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104FF13 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104HH20 , 5F083AD24 , 5F083JA02 , 5F083JA32 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA18 , 5F083NA01 , 5F083NA08 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F110AA06 , 5F110AA30 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE09 , 5F110FF01 , 5F110FF07 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110HK09 , 5F110HK21 , 5F140AA00 , 5F140AA01 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140AC32 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD17 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF27 , 5F140BF56 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BJ11 , 5F140BJ27 , 5F140BK25 , 5F140BK29 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CC07 , 5F140CC08 , 5F140CC11 , 5F140CC12 , 5F140CC16 , 5F140DB01 , 5F140DB04 , 5F140DB06 , 5F140DB08

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭53-010283
ド-プされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品及びド-プされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品の作製プロセス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-065742 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

審査官引用 (1件)

特開昭53-010283

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