特許
J-GLOBAL ID：200903088306508024
不揮発性半導体多値記憶装置の書込み方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-301831
公開番号（公開出願番号）：特開2001-126490
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】不揮発性多値メモリにおいて、書込みの高速化と高信頼性を実現する。【解決手段】複数のしきい値を設定して1つのメモリセルに多値の情報を記憶させるようにした不揮発性半導体記憶装置において、消去状態からもっとも遠いしきい値への書込み(書込み1)は、他のしきい値への書込みに先立って行い、その他のしきい値の書込みについては、消去状態に近いしきい値のデータから順次書込みを行い、かつ、それぞれの書込み時には、消去状態から遠いしきい値のデータを書込むセルに対しても同時に書込みを行う(書込み2、書込み3)。
請求項（抜粋）：
メモリセルのしきい値をn種類(n≧4)に設定することにより、1つのメモリセルに2ビット以上のデータを記憶させる不揮発性半導体多値記憶装置の書込み方法において、n種類のしきい値は第1のしきい値から一定方向に変化させることにより設定され、各グループ内で第1のしきい値から最も遠いしきい値と、第1のしきい値に最も近いしきい値との間に他のグループに属するしきい値が存在しないように、第1のしきい値を除く、n-1種類のしきい値を、k種類(2≦k≦n-2)のグループに分類し、前記n-1種類のしきい値の設定は、第1のしきい値から遠いしきい値を構成要素に持つグループからしきい値の設定を行い、かつ、同一グループ内のしきい値の設定を第1のしきい値に近いものから順に行うことを特徴とする不揮発性半導体多値記憶装置の書込み方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C 17/00 611 F
, G11C 17/00 631
, G11C 17/00 641
5B025AB01
, 5B025AD04
, 5B025AE05
