半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-097511
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307091
出願日： 1994年05月11日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】ワード線および/またはビット線の電位変化に伴う非選択状態のメモリセルのメモリトランジスタのチャネルリーク電流を抑制することにより、メモリセルの電荷保持特性を改善することを目的とする。【構成】レベル変換器31は、ロウデコーダ20からの振幅が電源電位Vccと接地電位GNDを有するワード線グループ指定信号の振幅高電圧Vppおよび負電位Vbbの互いに相補な論理信号WDおよびZWDに変換する。RXデコーダ3は、ワード線グループのうちの1本のワード線を特定する振幅Vpp-Vbbの信号を出力する。各ワード線に対応して設けられたワードドライバは、レベル変換回路からの信号WDおよびZWDに従って対応のワード線WLにワード線特定信号RXまたは負電位Vbbを伝達する。ワード線が非選択状態のときにはMOSトランジスタN2またはN3を介して負電位Vbbが与えられる。ワード線が選択状態のときにはMOSトランジスタN2を介して高電圧Vppが与えられる。

請求項（抜粋）：

行および列のマトリクス状に配列されかつ各々が第1の極性のバイアス電位が印加される基板領域に形成される複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、各前記行に対応して設けられ、各々に対応の行のメモリセルが接続される複数のワード線と、前記複数のワード線の各々に対応して設けられ、各々が、対応のワード線がアドレス信号により指定されたとき前記第1の極性と異なる第2の極性の電圧信号を対応のワード線上へ伝達するための第1のドライブ素子と、前記アドレス信号が該対応のワード線とは別のワード線を指定するとき、該対応のワード線上へ前記第1の極性の電圧信号を伝達するための第2のドライブ素子とを含む複数のドライブ手段とを備える、半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/407 , G11C 29/00 303

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開平2-005290
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-097953 出願人：沖電気工業株式会社
特開平3-086995

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審査官引用 (6件)

特開平2-005290
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-097953 出願人：沖電気工業株式会社
特開平3-086995

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