半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-035731
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233882
出願日： 1998年02月18日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】従来はアスペクト比の低減のためリッジ側と基板側の両方に低屈折率層を設けていたためリッジ部において幅方向に大きな屈折率差を生じて高次モードの発生を促していた。【解決手段】半導体基板側に配置したガイド層8aとクラッド層10aとの間に該クラッド層10aの屈折率nCLよりも低い屈折率nL を有する低屈折率層を設ける。【効果】上記低屈折率層9aによって光はバリア層6を境にして基板側にのみ拡がり、共振器長方向に伝播する光は半導体層の幅方向(y) ではリッジ部分とリッジ部の外側との屈折率差の影響を受けにくくなり高次モードの発生を防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、活性層を境にして対称にそれぞれ導電型の異なるガイド層とクラッド層とを備えたリッジ型あるいは埋込リッジ型の屈折率導波構造を有する半導体レーザにおいて、上記半導体基板側に配置したガイド層とクラッド層との間に該クラッド層の屈折率よりも小さい屈折率を有する低屈折率層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (17件)

半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-249719 出願人：シャープ株式会社
特開平2-012885
特開平2-012885

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引用文献：

審査官引用 (3件)

半導体レーザ基礎と応用, 1989, 初版
半導体レーザ基礎と応用, 1989, 初版
半導体レーザ基礎と応用, 1989, 初版

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