半導体ウエハーにおけるヒータ装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村政美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-303870
公開番号（公開出願番号）：特開2001-126851
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハーの加熱を均一に行ない、しかも最適処理温度に到達するまでの時間を短縮することのできるヒータ装置とその製造方法を提供する。【解決手段】熱融着型ポリイミドフィルム3の片面にホットプレスで金属箔4を貼着する第1工程。この金属箔4に、エッチング加工で所定のヒータパターンを形成する第2工程。基板2に熱融着型ポリイミドフィルム3を重合すると共に、所定のヒータパターンを有する前記金属箔4を貼着した熱融着型ポリイミドフィルム3を重合して熱融着型ポリイミドフィルム3の間に金属箔4をサンドイッチ状に挟着し、これら熱融着型ポリイミドフィルム3を真空中で基板2側に加熱圧着して、ポリイミド層内に真空封着された金属箔4を基板2に固着させる第3工程を有する。

請求項（抜粋）：

所定のヒータパターンを有する金属箔の上下両側を熱融着型ポリイミドフィルムによりサンドイッチ状に挟持させて真空で熱圧着させた発熱体を基板に固着したことを特徴とする半導体ウエハーにおけるヒータ装置。

IPC (3件)：

H05B 3/20 316 , H01L 21/68 , H01L 21/027

FI (3件)：

H05B 3/20 316 , H01L 21/68 N , H01L 21/30 567

Fターム (15件)：

3K034AA15 , 3K034AA33 , 3K034BB08 , 3K034BB13 , 3K034BC02 , 3K034BC16 , 3K034BC29 , 3K034HA01 , 3K034HA10 , 3K034JA01 , 3K034JA02 , 5F031CA02 , 5F031CA05 , 5F031HA37 , 5F046KA04

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-141979
薄膜配線シート、多層配線基板、およびそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-205991 出願人：株式会社日立製作所
高温ポリイミド静電チャック
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-016164 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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