特許
J-GLOBAL ID:200903088356166230
酸化物超電導体及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
今井 毅
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-061135
公開番号(公開出願番号):特開2000-256082
出願日: 1999年03月09日
公開日(公表日): 2000年09月19日
要約:
【要約】【課題】 熱歪等の内外力や腐食環境に影響されずに高い捕捉磁場の確保や長期にわたる性能維持が可能を酸化物超電導体及びその製造法を提供する。【解決手段】 酸化物超電導体を、図3に例示する如く、「樹脂含浸層を有し、かつ線膨張係数の小さいフィラ-材を分散して含有する樹脂層で覆われた構成」とするか、「表層部に前記フィラ-材を分散して含有する樹脂の含浸層を有した構成」とするか、あるいは「前記フィラ-材を分散して含有する樹脂の含浸層を有し、かつ外表面が前記フィラ-材を分散して含有する樹脂層で覆われた構成」とする。なお、バルク体に適量のAgを添加しても良い。この酸化物超電導体は、減圧雰囲気下で液状樹脂やフィラ-入り液状樹脂とを接触させてこれらを浸透させたり、更にその外表面にフィラ-入り液状樹脂を塗布したりして作成し得る。
請求項(抜粋):
樹脂含浸層を有し、かつ外表面が線膨張係数の小さいフィラ-材を分散して含有する樹脂層で覆われた酸化物超電導バルク体から成ることを特徴とする、酸化物超電導体。
IPC (4件):
C04B 41/83
, C01G 1/00
, C01G 3/00 ZAA
, H01B 13/00 565
FI (4件):
C04B 41/83 Z
, C01G 1/00 S
, C01G 3/00 ZAA
, H01B 13/00 565 D
Fターム (16件):
4G047JA02
, 4G047JA04
, 4G047JB05
, 4G047JC02
, 4G047KA01
, 4G047KC02
, 4G047KC06
, 4G047LA01
, 4G047LA06
, 5G321AA01
, 5G321AA04
, 5G321CA51
, 5G321CA53
, 5G321DB28
, 5G321DB54
, 5G321DB56
引用特許:
審査官引用 (6件)
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特開昭63-260882
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特開平1-261286
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特開平1-282176
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