特許

J-GLOBAL ID：200903088359118716

単結晶基板とその上に成長させた窒化ガリウム系化合物半導体結晶とから構成されるエピタキシャルウェハ

発明者： 桜井 哲朗 ,  奥山 峰夫 ,  福田 承生
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 福田 武通 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-310518
公開番号（公開出願番号）：特開平11-147797
出願日： 1997年11月12日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】 単結晶基板上に良好な格子整合性でエピタキシャル成長させることで、エピタキシャル膜内の結晶欠陥を大幅に低減する。【解決手段】 この発明の単結晶基板とその上に成長させた窒化ガリウム系化合物半導体結晶とから構成されるエピタキシャルウェハは、単結晶基板を、アルミニウム(Al)とストロンチウム(Sr)を含むペロブスカイト型立方晶(?@〜?D)で構成し、その単結晶基板上に窒化ガリウム系化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させて成る、ことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

単結晶基板とその上に成長させた窒化ガリウム系化合物半導体結晶とから構成されるエピタキシャルウェハにおいて、上記単結晶基板を、アルミニウム(Al)とストロンチウム(Sr)を含むペロブスカイト型立方晶で構成し、その単結晶基板上に窒化ガリウム系化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させて成る、ことを特徴とする単結晶基板とその上に成長させた窒化ガリウム系化合物半導体結晶とから構成されるエピタキシャルウェハ。

IPC (6件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (6件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 発光素子および半導体レーザ素子およびこれら素子を用いた装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-119092   出願人：株式会社小松製作所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Growth of perovskite-type oxides (RE,Sr)(Al,Ta)O3 as substrates for GaN epitaxial growth (RE=La,Nd)