特許
J-GLOBAL ID：200903088364639783

III族窒化物半導体結晶、その製造方法、III族窒化物半導体エピタキシャルウェーハ

発明者：
三木久幸

三木久幸 について

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桜井哲朗

桜井哲朗 について

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奥山峰夫

奥山峰夫 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 柿沼 伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-038841
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243302
出願日： 2002年02月15日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：
【要約】【課題】基板上に簡素化された方法で高品質のIII族窒化物半導体結晶を成長することを可能とする。【解決手段】加熱した基板上に、V/III比を1000以下(V/III比が0の場合を含む)としてIII族原料を供給し、III族窒化物半導体(III族窒化物半導体はInGaAlNで表されるものとする。)を形成し、その後III族原料と窒素原料を用いて、該基板上にIII族窒化物半導体結晶を気相成長させる。
請求項（抜粋）：
加熱した基板上に、V/III比を1000以下(V/III比が0の場合を含む)としてIII族原料を供給し、III族窒化物半導体(以下、III族窒化物半導体はInGaAlNで表されるものとする。)を形成する第1の工程と、その後III族原料と窒素原料を用いて、該基板上にIII族窒化物半導体結晶を気相成長させる第2の工程を有するIII族窒化物半導体結晶の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/20 ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343 610
FI (6件)：
H01L 21/20 ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343 610
Fターム (55件)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077EC09 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC01 ,  4G077TC13 ,  4G077TC14 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BA55 ,  4K030BA56 ,  4K030BB03 ,  4K030BB12 ,  4K030BB14 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030KA23 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F041AA03 ,  5F041AA09 ,  5F041AA41 ,  5F041AA42 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA61 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073EA15 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (2件)

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