特許
J-GLOBAL ID：200903088384410782

半導体装置および半導体モジュール

発明者：
ゴーラブ マジュムダール

ゴーラブ マジュムダール について

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森 敏

森 敏 について

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野田 祐久

野田 祐久 について

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岩上 徹

岩上 徹 について

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高木 義夫

高木 義夫 について

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川藤 寿

川藤 寿 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-312559
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153590
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：
【要約】【課題】 応用装置の組立てを容易化する。【解決手段】 装置101には、パワー半導体素子であるIGBT素子11の損失熱を外部の放熱フィンへと放散させるために、ヒートシンク51が設けられている。外部の回路基板へと接続される外部端子5,6は、ヒートシンク51の露出面が向く方向へと突出している。このため、装置101を他の回路素子とともに外部の回路基板に搭載して応用装置を組み立てる際に、装置101と他の回路素子とを、ともに、回路基板の共通の主面、すなわち放熱フィンが取り付けられる側とは反対側の主面の上に設置することができる。このため、回路基板の共通の主面に一括してハンダを塗布し、装置101と他の回路素子とを一括的にハンダ付けすることが可能である。
請求項（抜粋）：
一方主面と他方主面とを有する板状の熱良導性のヒートシンクと、前記一方主面の上に固定された板状の絶縁基板本体と、この絶縁基板本体の前記ヒートシンクとは反対側の主面の上に配設され、パターニングされた電気良導性の導体箔と、この導体箔の上に固定されたパワー半導体素子と、底面部に開口部を有し、前記他方主面が外部へ露出するように前記ヒートシンクが前記開口部へはめ込まれた電気絶縁性のケースと、前記導体箔に一端が電気的に接続され他端が外部へと突出する電気良導性の外部端子と、を備える半導体装置において、前記外部端子の前記他端は、前記ヒートシンクの前記他方主面が向く方向へと突出していることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/36
FI (3件)：
H01L 25/04 C ,  H01L 23/28 K ,  H01L 23/36 D
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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