特許

J-GLOBAL ID：200903088392128050

半導体製造装置のドライクリーニング方法

発明者： 柴田 英治 ,  吉野 昭仁
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 石戸 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-256843
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124870
出願日： 1994年10月21日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 炉口部等の金属部品が腐食されず、その寿命を延長し、メンテナンスを容易にし、構成が簡単で安価に実施できるばかりでなく、クリーニング後の成膜への金属汚染を防止できる半導体製造装置のドライクリーニング方法を提供する。【構成】 反応炉の温度を500〜650°Cに保持し,反応炉の圧力を10〜200Torrに保持して、反応管及びボート等を、NF3 ガス又はNF3 ガスを含むガスを流すことによりクリーニングすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

反応炉の温度を500〜650°Cに保持して、反応管及びボート等を、NF3 ガス又はNF3 ガスを含むガスを流すことによりクリーニングすることを特徴とする半導体製造装置のドライクリーニング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341

FI (2件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体製造装置のクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-144383   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-187771
  
• 半導体製造装置でのノンプラズマクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-333968   出願人：岩谷産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 特開平4-187771