特許
J-GLOBAL ID：200903088422692754
金属分散ゲル膜およびその製造方法ならびにIn2O3-SnO2薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
間宮 武雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-187208
公開番号（公開出願番号）：特開平11-250733
出願日： 1998年07月02日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 プラスチックスなどの耐熱性の低い基体上にも、導電性を有するIn2O3-SnO2薄膜を形成できる方法を提供する。【手段】 インジウムアルコキシドまたはインジウム金属塩および錫アルコキシドまたは錫金属塩を出発原料として得られたIn2O3-SnO2前駆体ゲル膜に対し波長が280nm以下である紫外光を照射して、金属インジウムおよび/または金属錫の微粒子が分散した金属分散ゲル膜を形成し、その金属分散ゲル膜に対し波長が600nm以下であるレーザ光を照射する。
請求項（抜粋）：
インジウムアルコキシドまたはインジウム金属塩および錫アルコキシドまたは錫金属塩を出発原料として得られ、基体の表面に薄膜状に形成されて、粒径が100nm以下である金属インジウムおよび/または金属錫の微粒子が分散してなることを特徴とする金属分散ゲル膜。
IPC (4件)：
H01B 1/08
, C23C 18/12
, H01B 5/14
, H01B 13/00 503
H01B 1/08
, C23C 18/12
, H01B 5/14 A
, H01B 13/00 503 B
