特許

J-GLOBAL ID：200903088430289080

電子放出材料

発明者： 斎藤 秀俊 ,  大塩 茂夫 ,  伊藤 治彦 ,  内城 貴則
出願人/特許権者： 長岡技術科学大学長
代理人 (1件)： 芳村 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-080050
公開番号（公開出願番号）：特開2002-274819
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：

【要約】【課題】エネルギー効率が高く、長時間動作可能な電子放出材料を低コストで提供する。【解決手段】N-H終端を含有するアモルファスないしは微結晶窒化炭素膜、特に窒化炭素膜の赤外線吸収スペクトルにおけるN-H終端の吸収面積がC-H終端の吸収面積以上である窒化炭素膜を導電性の基材表面に形成することによって、電子放出材料を構成する。

請求項（抜粋）：

N-H終端を含有するアモルファスないしは微結晶窒化炭素膜を有する電子放出材料。

IPC (3件)：

C01B 21/082 ,  C23C 16/34 ,  H01J 1/304

FI (3件)：

C01B 21/082 K ,  C23C 16/34 ,  H01J 1/30 F

Fターム (21件)：

4K030AA02 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030BA27 ,  4K030BA38 ,  4K030BA43 ,  4K030BA47 ,  4K030BB02 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA11 ,  4K030EA01 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030KA30 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  4K030LA18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化炭素薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-294807   出願人：電気化学工業株式会社