特許
J-GLOBAL ID：200903088450147257
半導体製造方法および半導体積層構造および半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-156711
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340577
出願日： 1998年05月21日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 成長核形成を促進させ、V族元素にN元素を含んだ結晶性の良好な混晶半導体を容易に得ることの可能な半導体製造方法および半導体積層構造および半導体発光素子を提供する。【解決手段】 本発明の成長方法では、GaAs層4上にGaInNAs層5を成長するときには、III族原料を供給する前に、N(窒素)の原料を先行導入し、GaAs層4の表面のAsの一部を、Nに置換するようにしている。すなわち、GaAs層4とGaInNAs量子井戸層5との界面8は、GaAs層4の表面のAsの一部をNに置換した界面(GaNAs)となっている。
請求項（抜粋）：
V族元素としてN(窒素)元素および他の1種以上のV族元素と、III族元素とから構成されるIII-V族混晶半導体を含んだ化合物半導体を、N元素を含まない半導体層上に成長する半導体製造方法において、N元素と他の1種以上のV族元素とを構成元素として含んだ半導体層を成長する前に、III族原料を供給せず、少なくともN元素の原料を供給し、N元素を含まない半導体層の表面のV族元素の一部をNに置換する工程を含むことを特徴とする半導体製造方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 33/00
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
