特許
J-GLOBAL ID：200903088463281939
発光ダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
大野 聖二
, 森田 耕司
, 片山 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-121487
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277651
出願日： 2007年05月02日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：
【課題】発光素子の内部量子効率と外部量子効率をともに改善し、低消費電力で高発光効率、しかも均一な配光特性の発光素子を提供すること。【解決手段】発光波長の光に対して透明で且つ裏面に凹凸を有する基板1の主面上に、第1の反射層(n側反射層)2が設けられており、この反射層2の上にn型のIII族窒化物半導体層3、発光層4、p型のIII族窒化物半導体層5が形成され、このp型III族窒化物半導体層5上に、第2の反射層(p側反射層)6が設けられている。発光層4を挟むn側反射層2及びp側反射層6は光共振器(共振器長L)を構成し、発光層4は当該光共振器内で形成される定在波の腹に位置しており、共振モード光のみが選択されて外部に取り出される。基板1の裏面には凹凸が設けられており、定在波の光(外部取出光)を散乱・拡散させて均一な配光特性が得られる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
発光波長の光に対して透明な基板の一方主面上に、発光層を含むIII族窒化物半導体の積層構造体と、前記発光層を挟むように設けられた第1及び第2の反射層で構成される光共振器とを備え、
前記発光層は前記光共振器内に形成される波長λの定在波の腹となる位置に設けられており、
前記発光層の下面側に設けられた前記第1の反射層の反射率(R1)と前記発光層の上面側に設けられた前記第2の反射層の反射率(R2)は、前記定在波の光に対してR2>R1の関係を満足するとともに、
前記基板の他方主面には前記定在波の光を散乱する凹部又は凸部が設けられていることを特徴とするIII族窒化物系半導体を用いた発光ダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F041AA03
, 5F041AA05
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA13
, 5F041CA23
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA77
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CB15
