特許
J-GLOBAL ID：200903055946691199

窒化ガリウム系化合物半導体素子

発明者：
川田 康博

川田 康博 について

, 
長濱 慎一

長濱 慎一 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-257306
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069075
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体内部の光の多重反射により起こる干渉を抑えることにより、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の外部量子効率を向上させる。【構成】 サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させ、サファイア基板を研磨又は剥離除去し、窒化ガリウム系化合物半導体の裏面がエッチングにより非鏡面とされている窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。サファイア基板を除去することにより、サファイアと窒化ガリウムの屈折率の違いよる界面での干渉が無くなり、かつ、非鏡面にすることによって表面で乱反射させることでダブルの効果で出力を向上させる。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系化合物半導体基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されてなる発光素子において、前記窒化ガリウム系化合物半導体基板の素子を積層する面に対向する面が凹凸を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/306
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/306 B
Fターム (12件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F043AA05 ,  5F043BB10 ,  5F043DD12 ,  5F043DD16 ,  5F043GG10
引用特許：
審査官引用 (8件)
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