特許

J-GLOBAL ID：200903091861291090

面発光レーザ素子および面発光レーザアレイ

発明者： 松原 秀樹 ,  齊藤 裕久 ,  広瀬 義幸 ,  山口 章
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-309996
公開番号（公開出願番号）：特開2006-121010
出願日： 2004年10月25日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：

【課題】 十分な発光強度を得ることが可能な面発光レーザ素子および面発光レーザアレイを得る。【解決手段】 この発明に従った単位素子1は、n-GaN基板13と、n-GaN基板13上に形成された、1つまたは2つのエピタキシャル多層膜層としての分布型ブラッグ反射膜(DBR17)とを備える。DBR17は、AlXGaYIn1-X-YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦X+Y≦1)という組成の材料を主成分とする一方層と、AlZGaWIn1-Z-WN(0≦Z≦1、0≦W≦1、0≦Z+W≦1)という組成の材料を主成分とし、一方層とは異なる組成である他方層とを含む。DBR17の1つの厚みTは3μm以上6μm以下である。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

窒化ガリウムからなる基板と、 前記基板上に形成された、1つまたは2つのエピタキシャル多層膜層とを備え、 前記エピタキシャル多層膜層は、 AlXGaYIn1-X-YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦X+Y≦1)という組成の材料を主成分とする一方層と、 AlZGaWIn1-Z-WN(0≦Z≦1、0≦W≦1、0≦Z+W≦1)という組成の材料を主成分とし、前記一方層とは異なる組成である他方層とを含み、 前記エピタキシャル多層膜層の1つの厚みは3μm以上6μm以下である、面発光レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/183 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01S5/183 ,  H01S5/343 610

Fターム (18件)：

5F173AC03 ,  5F173AC14 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AD02 ,  5F173AF65 ,  5F173AF75 ,  5F173AF76 ,  5F173AF78 ,  5F173AG03 ,  5F173AG24 ,  5F173AH22 ,  5F173AK05 ,  5F173AK08 ,  5F173AK13 ,  5F173AP05 ,  5F173AR14

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体デバイス、面発光型半導体レーザ、及び端面発光型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-017582   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-116613   出願人：日亜化学工業株式会社