特許

J-GLOBAL ID：200903088492652261

半導体装置およびその製造方法

発明者： 尾添 祥司 ,  志賀 智英 ,  岡部 好文 ,  青木 孝明 ,  深沢 剛 ,  粥川 君治
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-046514
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019458
出願日： 2006年02月23日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

【課題】シリコン基板の厚みを薄くすることなく、かつ、アニール工程を行わなくてもよい半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】研削後のシリコン基板1の裏面にAl膜10aをスパッタする。これにより、研削時に形成されるアモルファスシリコン11が再結晶化シリコン12となる。したがって、Al膜10aとシリコン基板1とをオーミック接続すること、つまり裏面電極10とシリコン基板1とをオーミック接続することが可能となる。このため、シリコン基板1の厚みを薄くすることなく、かつ、アニール工程を行わなくてもよい構造の半導体装置とすることが可能となる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

シリコン基板(1)の表面側に形成された第1電極(9)と裏面に形成された第2電極(10)とを有し、前記第1電極(9)と前記第2電極(10)の間に電流を流すように構成された縦型の半導体素子が備えられてなる半導体装置において、 前記シリコン基板(1)の裏面には、再結晶化シリコン(12)が形成されていると共に、該再結晶化シリコン(12)の表面にAl膜(10a)がオーミック接合されており、前記第2電極(10)が前記Al膜(10a)を含む金属膜で構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/28 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L21/28 A ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658A

Fターム (14件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD28 ,  4M104DD37 ,  4M104FF13 ,  4M104GG02 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法およびそれにより製造される半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-359942   出願人：株式会社デンソー
• 特許第3339552号公報
  

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-084425
  
• 特開平1-220439
  
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-087950   出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-273455   出願人：株式会社デンソー