特許
J-GLOBAL ID:200903088510257707

集積回路の金属化層の間の反応をできるだけ小さくするための拡散障壁体3重層

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 浅村 皓 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-072674
公開番号(公開出願番号):特開平8-274173
出願日: 1996年03月27日
公開日(公表日): 1996年10月18日
要約:
【要約】【課題】 集積回路の金属化層の間で熱処理を行うことにより起こる反応を非常に小さくする拡散障壁体3重層を提供する。【解決手段】 拡散障壁体3重層は、底部層と、シード層と、頂部層とで構成される。前記拡散障壁体3重層は、熱処理の際、金属化層と頂部層との間の反応を防止し、それにより、改良されたシート抵抗値と装置の改良された動作速度とが得られる。
請求項(抜粋):
底部金属層と、前記底部金属層に隣接したシード金属層と、前記シード金属層に隣接し、かつ前記シード層の結晶構造と類似の結晶構造を有する、頂部金属層と、を有する、半導体ウエハのための拡散障壁体3重層。
IPC (4件):
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/78
FI (4件):
H01L 21/90 D ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 L ,  H01L 29/78 301 G
引用特許:
審査官引用 (2件)

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